HAMAMATSU 滨松 S8550- 02 硅APD光电二极管 S8550-02

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HAMAMATSU 滨松 S8550- 02 硅APD光电二极管

4 × 8 像元 APD 阵列，具有低噪声和增强的短波长灵敏度

S8550-02 是一款 APD（雪崩光电二极管）阵列，设计用于短波长检测，具有低噪声和低结电容的特点。S8550-02 还可在每个像元之间提供均匀的增益和较小的串扰。

特点
-在短波区域具有高灵敏度和低噪声
-低结电容
-针对蓝光探测进行了优化
-各像元之间呈现均匀增益和低串扰变化
-无磁

详细参数

类型 4×8 像元阵列

受光面 1.6 × 1.6 mm

封装陶瓷

大灵敏度波长（典型值） 600 nm

灵敏度波长范围 320 至 1000 nm

暗电流（大值） 10 nA

截止频率（典型值） 250 MHz

结电容（典型值） 9 pF

击穿电压（典型值） 400 V

击穿电压温度系数（典型值） 0.78 V/°C

增益率（典型值） 50

测量条件 Ta = 25°C，*大灵敏度波长：M = 50，暗电流：每 1 个像元，M = 50，结电容：每 1 个像元，M = 50，f = 10 kHz，除非另有说明

类型	4×8 像元阵列
受光面	1.6 × 1.6 mm
封装	陶瓷
*大灵敏度波长（典型值）	600 nm
灵敏度波长范围	320 至 1000 nm
暗电流（*大值）	10 nA
截止频率（典型值）	250 MHz
结电容（典型值）	9 pF
击穿电压（典型值）	400 V
击穿电压温度系数（典型值）	0.78 V/°C
增益率（典型值）	50
测量条件	Ta = 25°C，*大灵敏度波长：M = 50，暗电流：每 1 个像元，M = 50，结电容：每 1 个像元，M = 50，f = 10 kHz，除非另有说明

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