HAMAMATSU 滨松 S4111- 16R 硅光电二极管阵列 S4111-16R

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HAMAMATSU 滨松 S4111- 16R 硅光电二极管阵列

适用于紫外到近红外波段的 16 像元硅光电二极管阵列

S4111-16R 是安装在陶瓷 DIP（双列直插式封装）中的硅光电二极管线性阵列。这种光电二极管阵列主要用于分光光度测定等微弱测光，涵盖从紫外光到近红外光的宽光谱范围。由于所有像元都可以采用电荷存储读数的反向偏压，因此 S4111-16R 能够以高灵敏度检测弱光。像元之间的串扰小化，以保持信号纯度。可以作为受光窗连接特殊滤波器（定制产品）。

特点
-大受光面
-低串扰
-更强的近红外灵敏度
-低暗电流

像元尺寸（每个像元） 0.9 × 1.45 mm

像元数 16

封装陶瓷

封装类别 18 针 DIP

闪烁体类型无

制冷非冷却型

反向电压（大值） 15 V

灵敏度波长范围 340 至 1100 nm

大灵敏度波长（典型值） 960 nm

感光灵敏度（典型值） 0.58 A/W

暗电流（大值） 5 pA

上升时间（典型值） 0.5 μs

结电容（典型值） 200 pF

测量条件典型值 Ta = 25°C，除非另有说明
每个像元，感光灵敏度：λ = 960 nm，暗电流：VR=10 mV，上升时间：VR = 0 V，结电容：VR = 0 V

像元尺寸（每个像元）	0.9 × 1.45 mm
像元数	16
封装	陶瓷
封装类别	18 针 DIP
闪烁体类型	无
制冷	非冷却型
反向电压（*大值）	15 V
灵敏度波长范围	340 至 1100 nm
*大灵敏度波长（典型值）	960 nm
感光灵敏度（典型值）	0.58 A/W
暗电流（*大值）	5 pA
上升时间（典型值）	0.5 μs
结电容（典型值）	200 pF
测量条件	典型值 Ta = 25°C，除非另有说明每个像元，感光灵敏度：λ = 960 nm，暗电流：VR=10 mV，上升时间：VR = 0 V，结电容：VR = 0 V

联系电话：0755-83317701 0755-84670052

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